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      太陽能鍺晶片

      公司能夠研發擁有自主知識產權的4英寸和6英寸VGF法單晶生長爐,建成了4英寸和6英寸VGF法“零位錯”太陽能電池用鍺單晶片生產線。

      We invented 4’’ & 6’’ VGF monocrystal furnace with independent intellectual property right, and set up a production line of 4’’ & 6’’ zero EPD VGF germanium wafer producing line.


      鍺晶片技術規格

         生長方法

        Growth Method 

         VGF 

        摻雜類型

        Dopant 

        P型:鎵 

        p-type: Ga 

        N型:砷

        n-type: As

        晶片形狀

        Wafer Shape 

        圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

        Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’6") 

        晶向 

        Surface Orientation * 

        (100)±0.5° 

        * Other Orientations maybe available upon request 

          其他晶向要求可根據客戶需求加工 

        電阻率 

        Resistivity  (Ω.cm) 

        根據客戶要求

        As Required

        位錯 

        Etch Pitch Density (cm2) 

        ≤ 300 

        厚度 

        Thickness (μm) 

        175±25(或根據客戶要求)

        175±25 (or as required) 

        TTV [P/P] (μm) 

        ≤ 10 

        WARP (μm) 

        ≤ 15 

        IF** (mm) 

        32.5±1 

        **If needed by customer 

            根據客戶需要 

        主面拋光

        Surface 

         E/E, P/E, P/G 


      鍺襯底產品營銷中心:
      聯系電話:13398718466
      E-mail:alexchen@sino-ge.com
      傳真:+86 871 65902819
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